在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。

产品技术参数：

电源电压：AC 380V±10%/50Hz±2%

输入功率：4000W

控温范围：室温+10℃-250℃

温度分辨率：0.1℃

温度波动度：±0.5℃

达到真空度：133Pa

容积：210L

工作室尺寸（mm）：560*640*600

外形尺寸（mm）：720*820*1750

载物托架：3块

时间单位：分钟

真空泵：国内品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。

产品特点：

1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。

2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。

3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。

4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。

5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。

6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。

HMDS预处理系统的必要性：

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

HMDS-6000系列预处理系统的原理：

HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。

HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：

首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。

尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。